7A 800V N

7A 800V N;

7A 800V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F7n80 to-220f **%off

PARAMETER		SYMBOL	WERT		EINHEIT
			7N80/I7N80/E7N80	F7N80
Maximale Gleichspannung der Drian-Quelle		V_DS	800		V
Maximale Gate-Drain-Spannung		V_GS	±30		V
Abflussstrom (kontinuierlich)		ICH_D(T=25°C)	7		A
		(T=100°C)	4		A
Abflussstrom (gepulst)		ICH_DM	28		A
Einzelimpuls-Lawinenenergie		E_ALS	150		mJ
Peak Diode Recovery dv/dt		dv/dt	5		V/ns
Totale Verlustleistung	Ta=25°C	Zapfwelle	2	2	W
	Temperatur = 25 °C	Zapfwelle	120	48	W
Stellentemperatur		T_J	-55~150		°C
Lagertemperatur		T_stg	-55~150		°C

Merkmale

Schnelles Umschalten

Niedriger ON-Widerstand

Niedrige Gate-Ladung

Geringe Rückübertragungskapazitäten

100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

100 % ΔV_DSPrüfen

Anwendungen

LED-Netzschalterschaltung

Elektronischer Ballast

ATX-Leistung

Hochspannungs-H-Brücken-PWM-Motorantrieb

Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell	Pakettyp	Markieren Sie den Namen	RoHS	Paket	Menge
7N80	TO-220C	7N80	Bleifrei	Rohr	1000/Karton
F7N80	TO-220F	F7N80	Bleifrei	Rohr	1000/Karton
I7N80	TO-262	I7N80	Bleifrei	Rohr	1000/Karton
E7N80	TO-263	E7N80	Bleifrei	Band und Rolle	800/Karton

7A 800V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F7n80 to-220f **%off

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