7,5A 600V N

7,5A 600V N;

Basisinformation.

Modell Nr.	F8n60
Chargennummer	2021
Marke	bxdh
Transportpaket	Rohr
Warenzeichen	WXDH
Herkunft	Wuxi, China
HS-Code	8541290000

Produktbeschreibung

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f

Beschreibung

Diese N-Kanal-Enhanced-VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht.

PARAMETER		SYMBOL	WERT		EINHEIT
			8N60/I8N60/E8N60/B8N60/D8N60	F8N60
Maximale Gleichspannung der Drian-Quelle		V_DS	600		V
Maximale Gate-Drain-Spannung		V_GS	±30		V
Abflussstrom (kontinuierlich)		ICH_D(T=25°C)	7.5		A
		(T=100°C)	4.8		A
Abflussstrom (gepulst)		ICH_DM	30		A
Einzelimpuls-Lawinenenergie		E_ALS	400		mJ
Peak Diode Recovery dv/dt		dv/dt	5		V/ns
Totale Verlustleistung	Ta=25°C	Zapfwelle	2	2	W
	Temperatur = 25 °C	Zapfwelle	100	35	W
Stellentemperatur		T_J	150		°C
Lagertemperatur		T_stg	-55~150		°C

Merkmale

Schnelles Umschalten

ESD-verbesserte Fähigkeit

Niedriger EIN-Widerstand (Rdson ≤ 1,3 Ω)

Niedrige Gate-Ladung (Typ: 24 nC)

Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 5,5 pF)

100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

100 % ΔVDS-Test

Anwendungen

Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet.

Leistungsschaltkreis des elektronischen Vorschaltgeräts und des Adapters.

Produktspezifikationen und Verpackungsmodelle
Produktmodell	Pakettyp	Markieren Sie den Namen	RoHS	Paket	Menge
8N60	TO-220C	8N60	Bleifrei	Rohr	1000/Karton
F8N60	TO-220F	F8N60	Bleifrei	Rohr	1000/Karton
B8N60	TO-251	B8N60	Bleifrei	Rohr	3000/Karton
D8N60	TO-252	D8N60	Bleifrei	Band und Rolle	2500/Karton
I8N60	TO-262	I8N60	Bleifrei	Rohr	1000/Karton
E8N60	TO-263	E8N60	Bleifrei	Band und Rolle	800/Karton

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f

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